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Thin Film Chip Power SplitterRN･E |
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用薄膜电阻制成的高频功分器 YDS的薄膜片式功分器具有反射小，高频性能好的特点。体积小，密度高，便于安装。 |
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RN1220E |
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符号 | 尺寸（mm) |
| L | 2.0±0.1 | |
| W | 1.25±0.1 | |
| t | 0.4±0.1 | |
| a | 0.5±0.2 | |
| b | 0.6±0.2 | |
| W1 | 0.4±0.2 | |
| W2 | 0.4±0.2 | |
| W3 | 0.35±0.2 | |
| RN1632A | ||
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符号 | 尺寸（mm) |
| L | 3.2±0.2 | |
| W | 1.6±0.2 | |
| t | 0.4±0.1 | |
| a | 1.0±0.25 | |
| b | 1.0±0.2 | |
| W1 | 0.4±0.25 | |
| W2 | 0.4±0.25 | |
| W3 | 0.4±0.2 | |
| (1) | 薄膜电阻体 |
| (2) | 外层树脂 |
| (3) | 电极（焊锡表面，也可不含铅） |
| (4) | 标示（表示方向的符号） |
| (5) | 氧化板 |
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＜等效电路图＞ |
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＜技术规格＞ |
| 项目 |
额定规格/P> |
图－1 负载减轻曲线 |
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| RN1220E | RN1632E |
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| 阻值范围 | 50Ω | ||
| 阻值容许偏差 | ±0.1% | ||
| 阻值温度系数 |
±50ppm/℃ |
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额定输入功率 （图－１：负载减轻曲线） |
33mW/元件 | 42mW/元件 | |
| 工作温度范围 | －55℃～＋125℃ | ||
| 额定环境温度 | 70℃ | ||
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＜特 性＞ |
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项 目 |
测试条件 | 容许变化·规格值 |
| 短时间过载 |
5秒钟加额定功率的2.5倍的电压。 |
±0.1% |
| 额定负载寿命 |
在70±3℃的空气中加90分钟额定电压，放置30分钟。 重复1000小时以上操作。 |
±0.25% |
| 耐湿负载寿命 |
在60±2℃ 90～95%RH空气中加额定功率90分钟放置30分钟。重复1000小时以上的操作。 |
±0.25% |
| 温度周期 |
[-55℃30分钟→室温3分钟→+125℃30分钟→室温3分钟]重复5次上述温度循环。。 |
±0.1% |
| 焊锡耐热性 |
在260±5℃的溶解焊锡中侵泡 10±秒钟。 |
±0.1% |
| 端子强度 |
支点之间：90mm 弯曲幅度：3mm 基板：玻璃环氧 ｔ＝1.6mm |
±0.1% |
| 焊接性 |
在235±5℃或者245±5℃的溶解焊锡（无铅焊锡）中侵泡 3±0.5秒种。 |
沾湿部分占电极面积的95%以上 |
| 绝缘电阻 |
ＤＣ500Ｖ1分钟后。 |
1000MΩ以上 |
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Yokohama Densi Seiko Co., Ltd. |
